采用VHF-PECVD技术制备大面积PPPP型微晶硅材料

摘要：

本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备高电导率、高晶化率的P 型大 面积微晶硅材料。研究了硼掺杂比、硅烷浓度和辉光功率对P 型微晶硅材料微结构和电学特性的影响。实验 结果表明，P 型微晶硅材料微结构和电学特性与沉积参数密切相关。通过优化沉积参数，在厚度为31nm 时， 获得了晶化率67％，电导率0.68S/cm的大面积P 型微晶硅材料。

关键词： 甚高频等离子体增强 化学气相沉积 P型微晶硅 太阳电池 不均匀性 电学特性

作者: 任慧志 赵颖 张晓丹 葛洪 王宗畔

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国可再生能源学会2011年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 462-465

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）