高速沉积微晶硅本征层的纵向结构的改善
与低速沉积的微晶硅薄膜相比，高速沉积的微晶硅薄膜具有非晶孵化层厚、纵向结构均匀性差等特点,导致电池的填充因子和短路电流密度降低,使得电池的效率不太理想”1”。本文采用传统方法和后通硅烷法高速沉积了两组不同厚度的本征硅薄膜材料。采用原子力显微镜研究了薄膜的表面形貌演化，并对其进行生长速率和晶化率的观察，发现后通硅烷法很好地减薄了非晶孵化层，提高了薄膜的纵向结构特性，原子力显微镜结果显示后通硅烷法有助于提高薄膜的成核密度。
高速沉积 后通硅烷法 原子力显微镜 非晶孵化层 微晶硅薄膜 成核密度
李双亮 李杨 张晓丹 许盛之 赵颖
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室
国内会议
北京
中文
479-482
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）