掺锗单晶硅中热施主的形成

摘要：

文研究了掺锗直拉单晶硅（GCz）中锗对热施主形成的影响。实验得出普通掺硼直拉单晶硅（Cz）热施主形成激活能为1.4eV，而在GCz 中形成激活能为1.9eV。低温傅里叶红外光谱（FTIR）显示含较高浓度锗（~1019cm-3）的GCz 中热施主不但吸收峰强度降低，而且峰位也发生了蓝移。结果表明GCz 中的锗在硅中引入局部应力，对热施主的形成具有明显的抑制作用。

关键词： 太阳能 掺锗单晶硅 热施主 红外光谱

作者: 陈鹏 余学功 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国可再生能源学会2011年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1050-1052

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）