太阳电池级多晶硅中杂质铝对太阳电池性能的影响
晶体硅太阳电池向着低成本高效率的方向发展。UMG 硅是一种可能被大规模应用的 廉价太阳级多晶硅材料。其相对普通多晶硅含有较多的杂质，其中一般有杂质铝。本文中通 过人为地在单晶中掺入杂质铝制备得到掺铝的硅单晶。通过研究发现，掺铝单晶的性能铝杂 质的存在会对硅材料的电学性能产生一定的负面影响，从而造成太阳电池效率损失，但对于 低成本的UMG 硅太阳电池而言，这种程度的效率损失并不是很大，仍在可承受的范围内。
晶体硅 太阳电池 电学性能
顾鑫 杨德仁 余学功 路景刚 冯琰
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江省杭州市浙大路38号
国内会议
北京
中文
1169-1172
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）