国产电阻阵列的发展:历史、现状和未来技术探讨
本文回顾和总结了国产电阻阵列三个发展阶段的主要技术方案、优缺点和最终结果。第一代64×64电阻阵列采用了体材料微机械加工的单晶硅薄膜微型电阻，电阻成品率较高但与CMOS工艺不兼容、均匀性差、功耗大、占空比极低、规模小；第二代128×128和256×256电阻阵列采用了体材料微机械加工的复合薄膜微型电阻，基本解决了工艺兼容性、均匀性、功耗等方面的问题，但占空比和规模提高有限；第三代128×128复合悬浮薄膜电阻阵列采用了薄膜转移技术，占空比显著提高，功耗明显下降，该技术有望成为今后国产电阻阵列的主流制造技术，但技术成熟度有待进一步提高。最后对国产电阻阵列未来技术发展进行了展望、分析和探讨。
红外器件 电阻阵列 CMOS工艺 薄膜转移
马斌 程正喜 翟厚明 郭中原 刘强 张学敏 丁毅 陈瑶
中国科学院 上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
国内会议
宁波
中文
25-33
2011-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）