薄膜转移工艺制备的128×128规模高架桥式电阻阵
本文采用新的薄膜转移工艺，成功制备了国内第一个128×128规模的高架桥式电阻阵。电阻阵的单元尺寸为50×50μm2，占空比50％。初步测试了该高架桥电阻阵的两个基本指标，微桥的热时间常数和最高等效黑体温度，并对该电阻阵进行了成像实验。采用电学法测试单个微桥的时间常数τ约为4.5mS，该电阻阵可工作在100Hz。将整个面阵点亮，在8-12μm波段最高等效黑体温度达到250℃，推测在3-5μm波段最高等效黑体温度超过300±20℃℃。将整个器件全部点亮并驱动到最高温度时，器件的最大功率为30W。该电阻阵成功地实现驱动显示成像。测试结果表明该高架桥式电阻阵初步满足红外景象产生器的要求。
红外器件 电阻阵列 CMOS工艺 薄膜转移
程正喜 马斌 刘强 张学敏 施永明 翟厚明
中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083
国内会议
宁波
中文
80-83
2011-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）