热处理工艺对铝箔氧化膜和比电容的影响
本文对铝箔在300℃，400℃，500℃分别进行0．5h，1h，2h真空退火，测出铝箔的氧化膜厚度，并用扫描电子显微镜观察了部分退火箔的腐蚀结构，并测出相应的比电容。结果表明，在400℃退火时，铝箔的氧化膜厚度最小，300℃居中，500℃最大。在300℃退火时，随着保温时间的延长，铝箔的氧化膜厚度减小；而在400℃和500℃退火时，氧化膜厚度增大。500℃退火的铝箔，表面微量元素的分布较均匀，铝箔表面腐蚀孔坑较细小，蚀坑密度大，比电容较高。而低温退火的箔样，微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近，使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑，降低了比电容。
铝箔氧化膜 退火热处理 微量元素 元素偏聚
朱宏喜
河南科技大学材料科学与工程学院,河南洛阳,471003
国内会议
2011年十四省市热处理暨第三届全国有色金属热处理学术交流会
洛阳
中文
115-118
2011-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）