组分对PI/AlN纳米复合薄膜微结构与介电性能影响研究

摘要：

　　本文采用原位聚合的方法制备不同组分聚酰亚胺/氮化铝(PI/AlN)纳米复合薄膜,采用小角X射线散射(SAXS)方法对薄膜微结构进行表征,研究不同组分AIN对复合薄膜电阻率、介电常数(ε)和介质损耗因子(tan δ)的影响。实验结果表明,PI/AlN复合薄膜散射曲线不遵循Porod定理,呈现正偏离,有机相与无机相间存在电子密度起伏区域； 随着纳米AlN含量的增加,分形结构由质量分形转变为质量和表面双分形； 无机AlN含量为1％时,复合薄膜的介电常数达到最低值； 当AlN含量为0.1％时,复合薄膜电阻率比纯PI提高一个数量级； 在低频范围内,介质损耗明显增加。AlN组分低于3％复合薄膜的绝缘性得到显著提高。

关键词： 复合薄膜 氮化铝 微结构 介电特性

作者: 李广 殷景华 刘晓旭 冯宇 田付强 雷清泉

作者单位: 哈尔滨理工大学应用科学学院 哈尔滨 150080 哈尔滨理工大学应用科学学院 哈尔滨 150080 工程电介质及其应用教育部重点实验室 哈尔滨 150080 工程电介质及其应用教育部重点实验室 哈尔滨 150080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国工程电介质学术会议

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 257-261

在线出版日期: 2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）