掺染料非均匀周期光子晶体带边双增强自发辐射放大研究
光子晶体由于其介电常数的周期性，内部光子态密度的分布明显区别于均匀物质，显著影响了内部荧光物质的自发辐射。自发辐射在带隙位置被抑制，在带边位置被增强。同时，在光子晶体中带边的群速度接近于零，电场与增益物质相互时间延长，产生带边增强效应，目前这一效应被广泛用于自发辐射放人研究。本文利用重铬酸盐明胶薄膜制备了掺杂荧光染料R6G的一维光子晶体，其正入射K波禁带边与发射荧光波K相重合.并进一步利用一维全息光子晶体能带结构的角度调谐特性，在特定入射角度下将长波禁带边调偕剑入射激发光波长处，实现带边态密度增加和光速减慢双增强自发辐射放人研究。实验中获得了白发辐射放火倍数达3.5以上，并观察剑实现了低阈值激射现象。在实验基础上本文采用稳态数值解法，分析全息光子品体内电场分布。并用非均匀模型以及传输矩阵法，拟合了非均匀周期光子晶体的透射谱和掺入若丹明6G的重铬酸盐明胶全息光子晶体的自发辐射增强与抑制效应，理论与实验结果符合较好。
DCG 光子晶体 自发辐射放大 非均匀修正模型
应翠凤 周文远 叶青 丁大同 田建国
南开大学物理科学学院 天津 300071
国内会议
2010中国光学学会全息与光信息处理专业委员会年会暨专委会成立25周年纪念会
南昌
中文
70-78
2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）