激光剥离Sapphire/GaN中GaN材料温度场的研究

摘要：

　　对激光剥离Sapphire/GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离的阈值条件。同时采用紫外KrF准分子激光器对Sapphire／GaN样品进行激光剥离实验，样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明计算结果与实验现象相符。进一步分析表明脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数，适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内，实现高效低损伤激光剥离。

关键词： 发光二极管 激光剥离技术 氮化镓材料 温度场 脉冲激光频率 能量密度

作者: 王婷 郭霞 刘斌 沈光地

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京 100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 2005全国博士生学术论坛——光学工程

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 12-16

在线出版日期: 2005-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）