硅材料场致等效二阶极化率张量的研究
具有反演对称中心的硅单品在电场作用下体内的反演对称中心消<br> 失，因两理论上应严生偶数阶非线性极化率。本文从<br> 理论上根据矢量与张量的作用，利用X(2)eff=X(3)·E这一关系和<br> 张量变换理论系统地阐述了硅材料在内建电场或外加电场的作用下，产生等效的二阶极化率，具体地在方向分别沿”111”、”110”和”001”的电场作用下，得到的等效二阶极化率张量X(2)eff=X(3)分别与C3v、C2v、C4v点群的二阶极化率张量具有相同的形式，说明在物理性质方面，硅的对称性由Oh群在相应方向电场作用下分别被降低为C3v、C2v、C4v点群因此应该具有相应对称性晶体的二阶非线性光学性质；提出了电场E沿任意方向时硅的等效二阶极化率张量X(2)eff=X(3)的计算方法，对研究硅材料及其它具有反演对称中心材料的场致二阶非线性光学性质实验具有指导意义。
硅材料 等效二阶极化率张量 电场作用 非线性光学
刘秀环 陈占国 贾刚 张晓婷 张玉红
吉林大学电子科学与工程学院,长春 130023
国内会议
北京
中文
54-59
2005-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）