富碳氢化非晶碳化硅薄膜结构和发光性能研究

摘要：

　　本文以C2H4 和H2 稀释的SiH4 为先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法,通过改变C2H4 流 量制备了一系列富碳的氢化非晶碳化硅(a-Si1xCx：H)薄膜。使用椭偏仪,FTIR,Raman 散射仪,光致发光 测试等手段对其结构和发光性能进行了研究。结果表明,薄膜的沉积速率随C2H4 流量的增加先增大后减小； 折射率随着薄膜中Si/C 相对含量的减少而单调减少；薄膜是由氢化的sp3 杂化Si-C 网络包围着sp2 杂化碳 团簇组成的多相非晶结构；所有样品均具有肉眼可见的室温光致发光性能,在428nm 有一个稳定的发光峰,在500-570nm 有一个随着Si/C 比例增加而红移的发光峰,分别起源于碳团簇和碳团簇与Si-C 网络边缘处的硅悬键。

关键词： 无机非金属材料 富碳氢化非晶碳化硅薄膜 等离子体增强化学气相沉积 光致发光

作者: 李喆 张溪文 韩高荣

作者单位: 浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州 310027 浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州 310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国青年材料科学技术研讨会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 965-971

在线出版日期: 2009-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）