利用霍尔元件测磁场装置测半导体载流子浓度

摘要：

利用霍尔元件测磁场装置的基本原理进行反向推导得到测定杂质半导体载流子浓度的理论方法,可对霍尔效应实验仪进行简单改造即可判断出杂质半导体导电类型并测出杂质半导体载流子浓度大小．

关键词： 杂质半导体 载流子浓度 霍尔效应

作者: 杜凯 魏荣慧 陈庆东 李立本

作者单位: 河南科技大学物理与工程学院 河南 洛阳 471003

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会

会议地点: 郑州

会议语种:中文

页码: 344-346

在线出版日期: 2011-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）