SiC纳米棒的发光特性研究
采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构,电子能谱表明SiC纳米棒中的C:Si组分比接近1:1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分,层状结构为6H—SiC和3C-SiC交替形成带来的。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射,认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。
SiC 纳米棒 层状结构 发光特性
金华 张立功 郑著宏 安立楠 申德振
中国人民公安大学安全防范系,北京 102614 中国科学院激发态物理重点实验室,吉林长春 130033
国内会议
广东东莞
中文
72-76
2010-10-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)