氮化铟的分子束外延生长和掺杂研究
自从2001-02年实验证明氮化铟(InN)室温下的禁带宽度约为0.7 eV，而不是以前认定的1.9 eV以来，关于InN的研究成为国际上氮化物研究的一个重要方向。其窄禁带的实验确认，使得Ⅲ族氮化物及其合金(InN-GaN-AIN)的带隙可以在0.63～6.2 eV之间调节，发光区域涵盖了紫外到红外的一个相当宽的范围，大大拓宽了氮化物光电器件的应用范围，比如说InGaN的带宽完全覆盖了太阳光谱的范围，因而可以利用氮化物单体系材料来制作高效率的太阳能电池;再比如，利用InN基量子阱材料有可能实现在光通讯波段的激光器件。
氮化铟 分子束 外延生长
王新强 张琦 马楠 潘建海 刘世韬 陈广 沈波
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
国内会议
长春
中文
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2010-07-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）