经电子束辐照诱生硅中位错及其电致发光的研究

摘要：

本文运用电子束辐照的方法可控地在硅中引入位错，并制备了pn结发光二极管，研究了其低温与室温的电致发光性能。研究表明，经电子束辐照引入的位错分布弥散，呈碎片状。制备的pn结器件在低温具有显著的D1发光，开启电流仅为0.02A/cm2，而D2、D3与D4峰不可见。器件在室温有明显的带边发光与在~1.6 μm的D1电致发光。

关键词： 电子束辐照 硅中位错 电致发光

作者: 项略略 金璐 李东升 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 16-18

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）