含有氯杂质的硅纳米晶的第一性原理研究
采用第一性原理密度泛函理论研究了硅纳米晶中引入C1杂质对硅纳米晶的影响。当纳米晶中引入一个C1原子时，C1原子更倾向于位于纳米晶的表面位置。在硅纳米晶的合成过程中，若C1的化学势很低则更容易得到H钝化的硅纳米晶；若Cl的化学势略有增加则H和C1共钝化的硅纳米晶更容易形成。C1的钝化量随着C1的化学势的增加而增加，但当C1的钝化量很高时，硅纳米晶结构不稳定。相比于完全H钝化的硅纳米晶，含有C1杂货的硅纳米晶的带边辐射复合速率明显更高。同时，随着C1钝化量的增加，硅纳米晶的激发能和发射能发生明显变化。
硅纳米晶 氯杂质 表面钝化量 结构畸变 光发射
马叶诗 陈晓波 皮孝东 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
厦门
中文
19-21
2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）