Si、B离子注入对Er掺杂SiO2MOS电致发光器件的影响

摘要：

硅基发光器件在半导体光电集成和光通信等领域具有广泛的应用前景。近年来，Er3+掺杂的MOS结构发光器件(MOSLED)因其较高的发光效率而受到广泛关注。Er掺杂的纳米硅氧化物中，受激发的硅纳米可以有效地将能量传递给Er3+离子，从而增强Er3+离子的1.5μm红外光致发光。在不同的薄膜材料中，虽然P、B掺杂可以显著影响纳米硅微晶的光致发光特性，但是其对Er3+离子电致发光的影响却未见报道。本文通过研究Er，Si，B共掺杂的MOS电致发光器件的发光光谱，分析了离子注入剂量对薄膜中的缺陷和微晶的形成以及载流子传导特性的影响，研究了缺陷以及纳米硅微晶对Er3+离子电致发光的影响。

关键词： Si、B离子 Er掺杂SiO2MOS 电致发光器件

作者: 刘海旭 闫艳花 侯琼琼 王肖珩 孟凡杰 孙甲明

作者单位: 南开大学物理科学学院，天津市南开区卫津路94号，天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 22-23

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）