光子晶体双异构微腔增强掺铒硅基发光效应研究

摘要：

我们在项层硅掺铒的SOI衬底上制作了二维非对称平板三角晶格光子晶体双异构微腔。室温PL谱中，仅存在一个位于1552.2nm通信波长处的很尖锐的发光峰，其发光强度相对于同等注入条件无光子晶体结构的SOI晶片增强了35倍。随着光泵浦功率的增加，谐振峰发生了明显的红移，并且Q值逐渐下降，在1.5mw泵浦功率下，Q值达3829。同时，实验验证了微腔谐振峰随光子晶体结构参数变化的规律。

关键词： 光子晶体 双异构微腔增强掺铒硅基 发光效应

作者: 王玥 张家顺 吴远大 安俊明 李建光 王红杰 胡雄伟

作者单位: 集成光电子学国家重点实验室，中国科学院半导体研究所，北京

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 24-26

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）