氮化硅、硅酸饵和碳化硅中Er3+离子1．54 μm电致发光
由于近些年来光电子发展的迫切需要，研究和开发能够与微电子领域现有S技术兼容的硅基光互连和硅基光电集成变得越来越重要。同时，由于Si本身是非直接带隙半导体材料，其发光效率极低，寻找成本低廉而又高效的硅基光源成为光电子领域最重和最具挑战性的课题。另一方面，稀土Era+离子4f内层电子的4I13/2→4I15/2跃迁发出的1.54μm发光正好位于石英光纤的最小损耗“窗口”内，各种掺Er材料已经广泛地用于现代光通信里，1.54 μm也成为Si光子学的标准波长。因此，研究和开发工作于1.54 μm波长的硅基光源具有特殊重要的现实意义和广阔的应用前景。
氮化硅 硅酸饵 碳化硅 Er3+离子1．54 μm 电致发光
尹扬 冉广照 秦国刚
北京大学物理学院，人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京，100871
国内会议
厦门
中文
27-28
2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）