超声雾化法制备的Er掺杂SnO2薄膜发光性质的研究

摘要：

SnO2是一种直接带隙宽禁带(Eg=3.6～4.0eV)氧化物半导体。它在可见光区透明而在红外区反射并具有优异的导电性和较好的化学稳定性，被广泛的应用于透明导电玻璃、太阳能电池、气敏传感器、液晶显示器等领域。最近几年，SnO2基气敏薄膜、稀磁半导体薄膜等方面的研究受到广泛关注，对其发光特性的研究主要集中在其带边和缺陷发光方面。

关键词： 超声雾化法 Er掺杂SnO2薄膜 发光性质

作者: 闫艳花 刘海旭 孟凡杰 侯琼琼 王肖珩 孙甲明

作者单位: 南开大学物理科学学院天津市南开区卫津路94号,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 29-30

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）