硅基GeSn合金光电探测器

摘要：

采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最好。

关键词： 硅基 GeSn合金光 电探测器

作者: 薛春来 苏少坚 汪巍 张广泽 成步文 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所，集成光电子学国家重点实验室，北京，100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 37-38

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）