基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质

摘要：

Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质。结果表明n型掺杂和张应变共同作用可以有效增强Ge直接带发光。

关键词： 张应变 n型掺杂Ge 量子效率 光增益

作者: 黄诗浩 李成 陈城钊 郑元宇 陈松岩 赖虹凯

作者单位: 厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，福建厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 41-43

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）