利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料

摘要：

提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XRD双晶衍射曲线半高宽分别为273 arcsec，位错腐蚀结果显示线位错密度约为1.5×106 cm-2，具有良好的结晶质量。

关键词： 低温缓冲层 应变超晶格 锗材料

作者: 陈城钊 郑元宇 黄诗浩 李成 赖虹凯 陈松岩

作者单位: 厦门大学物理系，半导体光子学研究中心，厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 47-49

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）