退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响

摘要：

本文采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度小于800℃时，退火对虚衬底的弛豫度影响较大，而对SiGe合金层的组分调制作用较小。当退火温度大于800℃，底层的低温锗(LT-Ge)开始不稳定并与上层的SiGe合金发生互扩散;随着退火温度的升高，底层的LT-Ge消失，最终得到表层Ge组分较大的SiGe虚衬底。

关键词： 退火 SiGe弛豫衬底热 稳定性

作者: 亓东锋 刘翰辉 陈松岩 李成 赖虹凯 黄巍 李俊

作者单位: 厦门大学物理系半导体光电子研究中心，厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 50-51

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）