硅基CdZnO薄膜的可见电抽运随机激射
在重掺N型硅衬底上制备了SiO2/ZnO/CdO/SiO2双势垒器件。通过适当地热处理，在ZnO/CdO两薄膜层中实现了Cd浓度渐变的CdxZn1-xO薄膜发光层。对器件的电致发光性能进行测试发现，在较小的正向电流(此时硅衬底接负压)注入下，器件在紫光区内产生随机激射；而当注入电流增大到一定数值以后，除了紫光区内的随机激射外，器件在红光区内也产生了随机激射。研究表明，紫光、红光区域内的随机激射峰分别来源于低Cd、高Cd掺杂下的CdxZn1-xO薄膜。
硅基CdZnO薄膜 随机激射 电致发光性能 器件测试
田野 马向阳 项略略 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
国内会议
厦门
中文
52-54
2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）