硅基ZnO薄膜电抽运随机激射阈值电流的显著降低：表面织构化的作用

摘要：

用稀盐酸作为腐蚀液，对硅基ZnO薄膜MIS结构发光器件中的Zno薄膜进行表面织构化处理。在正向偏压(硅衬底接负压)下，未经表面织构化处理的器件产生随机激射的阈值电流为～16 mA，而经过表面织构化处理后的器件的阈值电流仅为～6 mA；在相同的注入电流下，经过表面织构化处理的器件比未经处理的器件发光更强。 我们认为，表面织构化对随机激射性能的改善作用主要来自于Zno/SiO2界面处光多重散射的增强以及光出射范围的增大。

关键词： ZnO薄膜 硅基 表面织构化 阈值电流 随机激射

作者: 李云鹏 马向阳 李东升 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 55-57

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）