粗糙Ag岛膜增强氮化硅基器件的电致发光抽取效率

摘要：

本文制备了一种基于ITO/Ag/SiNxIp+-Si/Al结构的氮化硅(SiNx)基发光设备(LEDS，light emitting devices)以期增强SiNx薄膜电致发光。与没有加Ag岛膜的参比器件相比，加入Ag岛膜的器件在相同电流下电致发光强度得到了显著增强，其外量子效率也提升了近一个数量级。通过比较上述两种器件载流子输运机制，发光强度以及表面形貌的变化，我们认为其EL的增强来自于载流子注入效率，SiNx中激子的辐射复合效率以及光抽取效率的提高。

关键词： 粗糙Ag岛膜 氮化硅基器件 电致发光抽取效率

作者: 王锋 李东升 阙端麟 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,玉泉,310027 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,玉,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 58-60

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）