在硒化后的Si(001)表面生长Si量子点

摘要：

本文在UHVCVD系统中，利用硒(Se)原子硒化Si(001)表面，获得SiSe超薄层，运用Volmer-Weber生长机理在硒化的Si(001)表面外延Si量子点。

关键词： 硒化 Si(001) 表面生长Si量子点

作者: 潘书万 陈松岩 李成 黄巍 汪建元 赖虹凯

作者单位: 厦门大学物理系半导体光子学研究中心,厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 69-70

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）