Si基腔外键合型共振腔增强InGaAs探测器

摘要：

论文介绍了利用溶胶凝胶(sol-gel)键合技术制作的Si基集成共振腔增强型(RCE)光电探测器。键合界面在RCE结构的下DBR和Si衬底之间，键合温度为300℃。器件峰值响应波长在1552.7nm，峰值半高宽(FHWM)为6.4nm，响应度为0.6A/W，带宽为17.05GHz。

关键词： Si基光子学 RCE探测器 键合 sol-gel

作者: 张岭梓 左玉华 曹权 薛春来 成步文 王启明

作者单位: 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京，10083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 73-75

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）