用Smart—cut技术制备GOI及其性能的研究

摘要：

本文采用键合及Smart—cut技术制备GOI结构，TEM测试结果表明键合质量良好：经过后续退火，GOI项层Ge薄膜的晶体质量得到改善，XRD测试得到Ge峰峰值半高宽仅为72.6arc sec，而且在键合剥离过程中残余的压应力得到了释放；经化学机械抛光(CMP)处理，GOI表面粗糙度大大降低，RMS约为1.37nm，基本满足器件制备的需求。

关键词： Smart—cut技术 GOI 性能分析

作者: 阮育娇 林旺 陈松岩 李成 赖虹凯 黄巍

作者单位: 厦门大学物理系半导体光子学中心，厦门，361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 77-79

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）