电子束辐照聚碳甲基硅烷低温无压烧成SiC陶瓷
本文将聚碳甲基硅烷(polycarbomethylsilane,PCMS)与选定用量的SiC微粉(粒径约400nm)和甲苯共混制得浆料,浇铸成所需形状的先驱坯体,用Cockcroft-Walton型加速器产生的2.0 MeV电子束(EB)于He气流中照射至15 MGy,然后在1300℃和Ar气氛条件下热解、烧结成为SiC陶瓷材料。在所考察的实验范围内,PCMS辐照所致气相产物的生成量以及凝胶含量皆随吸收剂量增大而提高。红外光谱分析结果表明,EB辐照使PCMS形成了交联结构。原子力显微镜(AFM)分析结果表明,由EB辐照PCMS热解所得SiC与先驱坯体中原有的SiC微粉颗粒结合良好。采用光学显微镜、扫描电子显微镜等分析手段在所得SiC陶瓷材料的表面及内部皆未观察到明显的结构缺陷。
SiC陶瓷 电子束 陶瓷先驱体 聚碳甲基硅烷
许云书 杉本雅树 田中茂
中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳 621900 日本原子力研究所高崎研究所,日本 370-1292
国内会议
西宁
中文
187-191
2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）