双面同时静电封接工艺在硅电容传感器中的应用

摘要：

硅电容传感器由于其结构的精密性与灵敏性，常规的静电封接工艺已无法满足要求。封接后会造成其小间隙(间隙通常＜10μ m)极板间的粘连，导致器件失效。文中结合小间隙传感器的结构特点提出了一种双面同时封接的方法，并对封接相关参数进行了分析，确定了相应的封接条件。该工艺既解决了极板粘连问题义简化了工艺步骤，适合现阶段大规模生产的需求。

关键词： 硅电容传感器 小间隙 双面静电封接工艺

作者: 张娜 李颖 张治国 祝永峰 董春华

作者单位: 传感器国家工程研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国仪器仪表学会仪表元件分会第五届仪器仪表元器件研讨会暨广东省仪器仪表学会第二次学术会议

会议地点: 扬州

会议语种:中文

页码: 102-105

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）