入射角度对Ar+与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟
本文采用分子动力学模拟方法研究了入射角度对Ar+与SiC样品表面相互作用的影响。 由模拟结果可知,入射角度对样品原子溅射影响很大。随着入射角度的增加,Si和C原子的溅射量先增加后减小。而且相同入射角度下,Si原子溅射阈值比C原子小,Si原子的溅射量大于C原子的溅射量。初始样品在Ar+以不同角度轰击2000次后的形貌各异。产物中主要以Si和C原子为主,有少量的Si类和C类产物。入射角度对产物Si原子的角度分布影响不是很大,而对产物C原子的角度分布有较小的影响。入射角度对产物Si和C原子的能量分布影响较小,大多原子集中在0至20ev范围内。
分子动力学 SiC表面 溅射 角度分布 能量分布 相互作用
孙伟中 赵成利 刘华敏 张浚源 林黎蔚 陈旭 吕晓丹 苟富均
四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064 贵州大学等离子体与材料表面作用研究所聚变材料课题组 贵阳 550025 四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室 成都 610064 荷兰皇家科学院等离子体所 荷兰 2300
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123-130
2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）