P型<111>硅片多晶吸杂工艺的研究

摘要：

该文阐述了ＬＰＣＶＤ生长多晶硅对于Ｐ型〈１１１〉硅片的吸杂作用，通过对多晶硅的微观机构的研究来探讨多晶硅吸杂的吸杂机理。

关键词： P型 多晶硅 吸杂

作者: 陈青松

作者单位: 硅材料厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 98～101

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）