GaAs阴极逸出电子角度分布的模拟

摘要：

本文通过蒙特卡洛模拟的方法,在充分考虑电子的震荡过程的基础上,对Zn掺杂浓度为5.3×1018cm-3的GaAs<100>进行模拟。结果表明,电子的选出角度在3度和13度各有一个峰值,这与实验结果吻合的很好。本文还将掺杂和激活工艺对电子逸出的影响进行了分析。

关键词： GaAs阴极 角度分布 电子震荡 聚焦效应

作者: 陈章辉 黄小晖 冯攀 周康睿

作者单位: 华中科技大学 物理实验创新基地,湖北 武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国高等学校物理实验教学研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 87-90

在线出版日期: 2008-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）