静电放电对双极型硅器件造成潜在性失效的研究
研究了静电放电(ESD)对双极型硅器件造成的潜在性失效.发现利用直流放大倍数hFE及反向漏电流ICEO可以检测双极型硅器件是否受到ESD潜在性损伤.实验研究表明,ESD对双极型硅器件可造成事件相关和时间相关的潜在性失效;对于多次接触低于ESD损伤阈值的器件来说,存在积累失效效应;高频低噪声硅晶体三极管内部的潜在性失效不仅与注入的ESD电压有关,而且与ESD注入的次数也有一定的关系.
静电放电 双极型硅器件 潜在性失效
武占成 胡有志 杨洁 祁树锋
军械工程学院静电与电磁防护研究所,河北,石家庄 050003
国内会议
郑州
中文
290-292
2009-08-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)