微量氨组分对等离子体合成碳纳米管的影响
实验研究了不同氨气比例条件下碳纳米管的生长情况，利用介质阻挡放电(DBD)等离子体化学气相沉积技术，在蒸镀有13 nm Ni催化剂层的Si基材上，以CH4为碳源，以H2与NH3为刻蚀和稀释气体，在630℃和750℃的不同温度条件下合成碳纳米管．经SEM和TEM测试发现，所合成的碳纳米管具有竹节型结构，Ni催化剂形貌表明碳纳米管生长符合顶端机制．氨气含量对碳纳米管的生长影响较大，合成碳纳米管的最佳氨气浓度区间为1％～3％，高于8％则基本没有碳管生成，原因是含N基团的刻蚀速率远大于碳管的生成速率．
等离子体 碳纳米管 氨组分 介质阻挡放电
付亚波 陈强 许文才
北京印刷学院印刷与包装工程学院,北京 102600
国内会议
郑州
中文
302-304
2009-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）