不同结构CMOS运算放大器电路的电离辐射效应

摘要：

该文介绍了在相同工艺条件下，N沟和P沟输入两种不同结构CMOS运算物大器电路的电离辐照响应规律及各子电路对特性的影响情况。结果显示：由辐照感生的氧化物电荷引起的N沟镜像负载的不对称是导致P沟输入运放电特性衰降的主要机制；而由氧化物电荷和界面态引起的N沟差分对的漏电增大则是造成N沟输入运放电路性能变差的主要原因。

关键词： P沟输入运放 N沟输入运放 <”80>Coγ辐照 氧化物电荷 界面态

作者: 任迪远 陆妩 郭旗 余学锋 严荣良

作者单位: 中科院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 60～65

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）