会议专题

176Hf(n,2n)175Hf反应截面测量

本文采用相对测量技术,以活化法对13.4~14.8 Mev范围内的176Hf(n,2n)175Hf反应截面进行了测量。样品固定在距离D-T中子源20cm处的圆环的不同位置上进行中子辐照,采用93Nb(n,2n)92Nbm作为监测反应,活化产物采用高纯锗探测器进行了测量,所得14 MeV附近的176Hf(n,2n)175Hf反应截面实验值为(2 100±85)mb,对实验结果与公开文献值和ENDF/B6.8评价库数据进行了比对。

反应截面 相对测量 活化法 高纯锗探测器

朱传新 郑普 郭海萍 牟云峰 何铁 阳剑

中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900

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第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

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7-11

2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)