EE80C196KC20单片机γ辐射总剂量效应

摘要：

本文建立了商用16位单片机EE80C196KC20辐射效应在线测试系统,利用60Co源在20rad(Si)/s的剂量率条件下研究了电离辐射的失效模式和敏感参数。实验获得了单片机的失效阈值,得到了功耗电流、I/O输出、PWM输出随总剂量的变化规律,从工艺和电路结构分析了敏感参数变化的物理机理,对抗辐射加固设计有重要意义。

关键词： 电离辐射 微处理器 功耗电流 电平漂移

作者: 金晓明 范如玉 陈伟 杨善潮 林东生

作者单位: 清华大学,工程物理系,北京,100084;西北核技术研究所,陕西,西安,710024 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 528-532

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）