瞬时电离辐射剂量率对BiMOS运放输出扰动时间的影响

摘要：

本文对两种不同类型BiMOS运算放大器(JFET-Bi,PMOS-Bi)γ瞬时电离辐射效应进行研究。结果显示,BiMOS运放瞬时辐射扰动时间随剂量率变化呈现出一定的规律性,在剂量率较低情况下扰动时间随剂量率指数增长,剂量率较高时,扰动时间呈现出饱和特性。另外,输入信号不同,输出扰动时间随剂量率的变化也会有差异。

关键词： BiMOS运算放大器 γ瞬时电离 辐射效应 扰动时间 剂量率指数

作者: 马强 林东生 范如玉 陈伟 杨善潮 龚建成 王桂珍 齐超

作者单位: 西北核技术研究所,陕西,西安,710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 545-549

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）