会议专题

PBS法测量Ti膜中H同位素深度分布

本文在Mo底衬上制备了约5μm的3个TiDxTy样品,用质子背散射(PBS)法分析了D、T在Ti膜中的深度分布,其中,T的分析能得出较为准确的结果,而D的分析结果受质子在Mo底衬中多次散射信号的影响偏差较大。分析结果表明,PBS法测量的T含量和浓度与样品制备过程中测量的结果一致,且T在Ti膜中分布均匀.这证明PBS法可用于对材料中T浓度与分布的分析。

质子背散射 钛膜 氢同位素 深度分布

丁伟 施立群 龙兴贵

中国工程物理研究院,核物理与化学研究所,四川,绵阳,621900 复旦大学,现代物理研究所,上海,200433

国内会议

第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

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563-566

2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)