基于MCNP程序的铅屏蔽层对γ射线屏蔽性能研究
为了计算不同厚度铅对不同能量γ射线的屏蔽性能,本文建立了两种模型,然后使用MCNP程序对这两种模型进行模拟计算,进而得到了铅的屏蔽性能。计算结果表明:相同厚度的铅屏蔽层对低能γ射线的屏蔽能力强于高能,随着γ射线能量的增大,屏蔽能力呈下降趋势。作为验证,本工作计算了单向源、面源、各向同性面源情况下铅的屏蔽性能,还通过改变PHYS卡计算铅的屏蔽性能,得到的结果与上述结论一致。
MCNP程序 γ射线 衰减倍数 铅屏蔽层 屏蔽性能
郭广水 曾心苗 周鹏 秦培中 孟宪芳 王强
北京市射线应用研究中心,北京,100012
国内会议
苏州
中文
587-590
2010-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)