GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究

摘要：

本文通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果,对其内部机理进行了分析,提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型,得到非常好的拟合结果。实验发现,由于高阻层的存在,GaN肖特基探测器具有很高的信噪比,即使在可能的光淬灭效应的影响下,探测器在200V反向偏压下的信噪比仍可达到80左右。

关键词： GaN 肖特基探测器 X射线 响应时间

作者: 付凯 于国浩 陆敏

作者单位: 中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏,苏州,215123;中国科学院,研究生院,北京,100049 中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏,苏州,215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 449-452

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）