中子位移损伤监测技术研究

摘要：

本文利用硅双极晶体管直流增益倒数与中子注量具有线性关系的特点,将其作为位移损伤监测器以获取不同中子辐射场的损伤特性，采用两种不同的数据分析方法,分别得到了两种位移损伤监测器阵列的相对损伤常数。研究结果为在现有的实验条件和测试手段基础上选择位移损伤监测器和分析监测结果奠定了基础。

关键词： 位移损伤 能谱 硅双极晶体管 损伤常数 数据分析方法

作者: 邹德慧 高辉 鲁艺 艾自辉

作者单位: 中国工程物理研究院,四川,绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 472-475

在线出版日期: 2010-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）