PZT铁电薄膜的Y掺杂最佳含量的理论计算
本文介绍一个从晶体结构出发建立的晶体结构配位数与最佳掺杂含量关系的理论表达式,对锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜的钇(Y)掺杂最佳含量作出理论计算,定量计算的结果与实验数据相符合.该理论也适用于其他电子薄膜材料的最佳掺杂含量问题.
PZT 铁电薄膜 最佳掺杂含量 理论计算 铁电材料
范志新
河北工业大学应用物理系(天津)
国内会议
厦门
中文
1587-1589
2001-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
PZT 铁电薄膜 最佳掺杂含量 理论计算 铁电材料
范志新
河北工业大学应用物理系(天津)
国内会议
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