170 ps激光脉冲辐照可见光面阵Si-CCD的实验
本文进行了532nm ps激光辐照面阵Si-CCD的实验研究，建立了532nm，170 ps激光辐照Si-CCD效应实验测量系统，观察到了各种典型的干扰和损伤效应现象并测量了阈值。对破坏后的CCD器件的微观结构进行了显微观察，并深入分析了各种典型实验现象和电路层面的损伤机理。开展了10 ns和150 fs激光对CCD探测器的辐照效应实验，并对不同脉宽激光与CCD相互作用阈值的关系进行了比较分析。实验结果表明：激光能量密度为10-8～10-3J/cm2时，会干扰CCD成像;激光能量密度超过10-1J/cm2时，则会出现CCD永久性损伤。
激光辐照 激光损伤 ps激光脉冲 Si-CCD 阈值
蔡跃 叶锡生 马志亮 王立君 冯国斌 陈林柱
西北核技术研究所 激光与物质相互作用国家重点实验室,陕西 西安 710024
国内会议
长春
中文
357-362
2010-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）