基于EUV光刻掩模简化模型的掩模衍射分析

摘要：

EUV光刻掩模是EUV光刻成像系统的重要组成部分。不同于DUV光刻掩模，EUV掩模为反射式掩模，且掩模厚度远大于入射光波长。在斜入射光照明下，掩模的厚掩模效应将导致光刻成像质量的恶化，出现图形位置偏移、图形特征尺寸偏差等掩模像差现象。随着光刻特征尺寸的不断缩小，EUV光刻成像系统工艺容限的要求越来越严格，斜入射条件下的厚掩模效应在光刻成像系统中不容忽视。

关键词： EUV光刻掩模 简化模型 掩模衍射分析

作者: 曹宇婷 王向朝 彭勃

作者单位: 中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室，上海 201800 中国科学院研究生院，北京 100039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国光学测试学术讨论会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 37

在线出版日期: 2010-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）