一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器
文章提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真(IMD3)吸收单元来提高线性度。该结构接于传统CMOS共源共栅低噪声放大器(CMOS Cascode LNA)共源级输出端，它通过吸收漏级上IMD3电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真。采用SMIC 0．18 um RFCMOS标准工艺，设计了一个带有IMD3吸收单元的CMOS CascodeLNA。使用Agilent ADS高频仿真环境的仿真结果表明，在中心频率为1．57 GHz，1．8 V供电电压下，相比传统的CMOSCascode LNA，新结构的IIP3提高约10 dB，而电流消耗增加1．3mA，增益下降1．8dB，NF略微增大。
复合式金属氧化物半导体 共源共栅 低噪声放大器 线性化 3阶输入互调截点 3阶互调失真
李寿辉 孙玲玲 文进才
杭州电子科技大学教育部部省共建射频电路与系统实验室,浙江 杭州,310018
国内会议
杭州
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15-18
2008-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）